Detalles de la búsqueda
1.
A tight-binding study of single-atom transistors.
Small
; 11(3): 374-81, 2015 Jan 21.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-25293353
2.
Transport in asymmetrically coupled donor-based silicon triple quantum dots.
Nano Lett
; 14(4): 1830-5, 2014.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-24661142
3.
GeSn-on-GaAs with photoconductive carrier lifetime >400 ns: role of substrate orientation and atomistic simulation.
Nanoscale
; 16(14): 7225-7236, 2024 Apr 04.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-38511340
4.
Engineering independent electrostatic control of atomic-scale (â¼4 nm) silicon double quantum dots.
Nano Lett
; 12(8): 4001-6, 2012 Aug 08.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-22686257
5.
Charge sensing of precisely positioned p donors in Si.
Nano Lett
; 11(10): 4376-81, 2011 Oct 12.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-21919458
6.
Spin blockade and exchange in Coulomb-confined silicon double quantum dots.
Nat Nanotechnol
; 9(6): 430-5, 2014 Jun.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-24727686
7.
Atomistic modeling of metallic nanowires in silicon.
Nanoscale
; 5(18): 8666-74, 2013 Sep 21.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-23897026
8.
A single-atom transistor.
Nat Nanotechnol
; 7(4): 242-6, 2012 Feb 19.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-22343383
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