Detalles de la búsqueda
1.
Algorithm-Based Linearly Graded Compositions of GeSn on GaAs (001) via Molecular Beam Epitaxy.
Nanomaterials (Basel)
; 14(11)2024 May 22.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-38869534
2.
The growth of Ge and direct bandgap Ge1-xSnx on GaAs (001) by molecular beam epitaxy.
RSC Adv
; 14(2): 1250-1257, 2024 Jan 02.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-38174282
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