Detalles de la búsqueda
1.
Exfoliated ß-Ga2O3 nano-belt field-effect transistors for air-stable high power and high temperature electronics.
Phys Chem Chem Phys
; 18(23): 15760-4, 2016 Jun 21.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-27230724
2.
Development of solar-blind photodetectors based on Si-implanted ß-Ga(2)O(3).
Opt Express
; 23(22): 28300-5, 2015 Nov 02.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-26561101
3.
Chemical etching behaviors of semipolar (11Ì22) and nonpolar (11Ì20) gallium nitride films.
Phys Chem Chem Phys
; 16(30): 15780-3, 2014 Aug 14.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-24971494
4.
Detecting defects that reduce breakdown voltage using machine learning and optical profilometry.
Sci Rep
; 14(1): 7440, 2024 Mar 28.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-38548848
5.
GaN-based ultraviolet light-emitting diodes with AuCl3-doped graphene electrodes.
Opt Express
; 21(23): 29025-30, 2013 Nov 18.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-24514418
6.
Using machine learning with optical profilometry for GaN wafer screening.
Sci Rep
; 13(1): 3352, 2023 Feb 27.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-36849490
7.
Nanostructured n-ZnO / thin film p-silicon heterojunction light-emitting diodes.
Opt Express
; 19(27): 26006-10, 2011 Dec 19.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-22274189
8.
Single n-GaN microwire/p-Silicon thin film heterojunction light-emitting diode.
Opt Express
; 19(22): 21692-7, 2011 Oct 24.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-22109019
9.
Transparent conductive graphene electrode in GaN-based ultra-violet light emitting diodes.
Opt Express
; 18(22): 23030-4, 2010 Oct 25.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-21164643
10.
Photopolymerization of self-assembled monolayers of diacetylenic alkylphosphonic acids on group-III nitride substrates.
Langmuir
; 26(13): 10725-30, 2010 Jul 06.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-20524692
11.
Polarization fields in III-nitride nanowire devices.
Nanotechnology
; 21(14): 145205, 2010 Apr 09.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-20220226
12.
Atomic Layer Deposition of Vanadium Dioxide and a Temperature-dependent Optical Model.
J Vis Exp
; (135)2018 05 23.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-29889197
13.
Heterostructure WSe2-Ga2O3 Junction Field-Effect Transistor for Low-Dimensional High-Power Electronics.
ACS Appl Mater Interfaces
; 10(35): 29724-29729, 2018 Sep 05.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-30092634
14.
Quasi-Two-Dimensional h-BN/ß-Ga2O3 Heterostructure Metal-Insulator-Semiconductor Field-Effect Transistor.
ACS Appl Mater Interfaces
; 9(25): 21322-21327, 2017 Jun 28.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-28560867
15.
Technique for the dry transfer of epitaxial graphene onto arbitrary substrates.
ACS Nano
; 4(2): 1108-14, 2010 Feb 23.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-20099904
16.
Self-assembled monolayers of alkylphosphonic acid on GaN substrates.
Langmuir
; 24(13): 6630-5, 2008 Jun 01.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-18522438
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