Detalles de la búsqueda
1.
Photoluminescence characterization of wetting layer and carrier dynamics for coupled InGaAs/GaAs surface quantum dot pair structures.
Opt Express
; 28(14): 20704-20713, 2020 Jul 06.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-32680124
2.
Type-II GaSb quantum dots grown on InAlAs/InP (001) by droplet epitaxy.
Nanotechnology
; 31(31): 315701, 2020 Jul 31.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-32303015
3.
Correlation between photoluminescence and morphology for single layer self-assembled InGaAs/GaAs quantum dots.
Opt Express
; 26(18): 23107-23118, 2018 Sep 03.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-30184966
4.
Defect-Free Self-Catalyzed GaAs/GaAsP Nanowire Quantum Dots Grown on Silicon Substrate.
Nano Lett
; 16(1): 504-11, 2016 Jan 13.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-26666697
5.
Comparative study of photoluminescence from In0.3Ga0.7As/GaAs surface and buried quantum dots.
Nanotechnology
; 27(46): 465701, 2016 Nov 18.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-27749272
6.
1.3-µm InAs/GaAs quantum-dot lasers monolithically grown on Si substrates using InAlAs/GaAs dislocation filter layers.
Opt Express
; 22(10): 11528-35, 2014 May 19.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-24921274
7.
Algorithm-Based Linearly Graded Compositions of GeSn on GaAs (001) via Molecular Beam Epitaxy.
Nanomaterials (Basel)
; 14(11)2024 May 22.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-38869534
8.
The growth of Ge and direct bandgap Ge1-xSnx on GaAs (001) by molecular beam epitaxy.
RSC Adv
; 14(2): 1250-1257, 2024 Jan 02.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-38174282
9.
Bi-stability, hysteresis, and memory of voltage-gated lysenin channels.
Biochim Biophys Acta
; 1808(12): 2933-9, 2011 Dec.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-21945404
10.
Coherent-interface-induced strain in large lattice-mismatched materials: A new approach for modeling Raman shift.
Nano Res
; 15(3): 2405-2412, 2022.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-34540143
11.
Potential analytical applications of lysenin channels for detection of multivalent ions.
Anal Bioanal Chem
; 401(6): 1871-9, 2011 Oct.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-21818682
12.
Intersublevel infrared photodetector with strain-free GaAs quantum dot pairs grown by high-temperature droplet epitaxy.
Nano Lett
; 10(4): 1512-6, 2010 Apr 14.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-20356102
13.
Photoluminescence of InAs/GaAs quantum dots under direct two-photon excitation.
Sci Rep
; 10(1): 10930, 2020 Jul 02.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-32616829
14.
Interplay Effect of Temperature and Excitation Intensity on the Photoluminescence Characteristics of InGaAs/GaAs Surface Quantum Dots.
Nanoscale Res Lett
; 13(1): 387, 2018 Nov 29.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-30498864
15.
Polarization Effects in Graded AlGaN Nanolayers Revealed by Current-Sensing and Kelvin Probe Microscopy.
ACS Appl Mater Interfaces
; 10(7): 6755-6763, 2018 Feb 21.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-29381323
16.
Photoluminescence Study of the Interface Fluctuation Effect for InGaAs/InAlAs/InP Single Quantum Well with Different Thickness.
Nanoscale Res Lett
; 12(1): 229, 2017 Dec.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-28359139
17.
Photoconductivity Relaxation Mechanisms of InGaAs/GaAs Quantum Dot Chain Structures.
Nanoscale Res Lett
; 12(1): 183, 2017 Dec.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-28282982
18.
Infrared Reflectance Analysis of Epitaxial n-Type Doped GaN Layers Grown on Sapphire.
Nanoscale Res Lett
; 12(1): 397, 2017 Dec.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-28599511
19.
X-ray Reciprocal Space Mapping of Graded Al x Ga1 - x N Films and Nanowires.
Nanoscale Res Lett
; 11(1): 81, 2016 Dec.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-26860714
20.
The Peculiarities of Strain Relaxation in GaN/AlN Superlattices Grown on Vicinal GaN (0001) Substrate: Comparative XRD and AFM Study.
Nanoscale Res Lett
; 11(1): 252, 2016 Dec.
Artículo
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| MEDLINE | ID: mdl-27184965