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1.
Utilizing the unique properties of nanowire MOSFETs for RF applications.
Nano Lett
; 13(4): 1549-54, 2013 Apr 10.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-23464859
2.
Observation of 1D behavior in Si nanowires: toward high-performance TFETs.
Nano Lett
; 12(11): 5571-5, 2012 Nov 14.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-23030672
3.
Effect of diameter variation on electrical characteristics of Schottky barrier indium arsenide nanowire field-effect transistors.
ACS Nano
; 8(6): 6281-7, 2014 Jun 24.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-24848303
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