Detalles de la búsqueda
1.
Characterizing fluorocarbon assisted atomic layer etching of Si using cyclic Ar/C4F8 and Ar/CHF3 plasma.
J Chem Phys
; 146(5): 052801, 2017 Feb 07.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-28178847
2.
Effect of the chamber wall on fluorocarbon-assisted atomic layer etching of SiO2 using cyclic Ar/C4F8 plasma.
J Vac Sci Technol A
; 34(4): 040603, 2016 07.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-27375342
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