Detalles de la búsqueda
1.
Regaining a Spatial Dimension: Mechanically Transferrable Two-Dimensional InAs Nanofins Grown by Selective Area Epitaxy.
Nano Lett
; 19(7): 4666-4677, 2019 Jul 10.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-31241966
2.
Achieving short high-quality gate-all-around structures for horizontal nanowire field-effect transistors.
Nanotechnology
; 30(6): 064001, 2019 Feb 08.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-30523834
3.
p-GaAs Nanowire Metal-Semiconductor Field-Effect Transistors with Near-Thermal Limit Gating.
Nano Lett
; 18(9): 5673-5680, 2018 09 12.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-30134098
4.
Using Ultrathin Parylene Films as an Organic Gate Insulator in Nanowire Field-Effect Transistors.
Nano Lett
; 18(7): 4431-4439, 2018 07 11.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-29923725
5.
Hybrid Nanowire Ion-to-Electron Transducers for Integrated Bioelectronic Circuitry.
Nano Lett
; 17(2): 827-833, 2017 02 08.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-28002672
6.
The influence of atmosphere on the performance of pure-phase WZ and ZB InAs nanowire transistors.
Nanotechnology
; 28(45): 454001, 2017 11 10.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-29039362
7.
Towards low-dimensional hole systems in Be-doped GaAs nanowires.
Nanotechnology
; 28(13): 134005, 2017 Mar 01.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-28256451
8.
InAs Nanowire Transistors with Multiple, Independent Wrap-Gate Segments.
Nano Lett
; 15(5): 2836-43, 2015 May 13.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-25879492
9.
Using a tunable quantum wire to measure the large out-of-plane spin splitting of quasi two-dimensional holes in a GaAs nanostructure.
Nano Lett
; 13(1): 148-52, 2013 Jan 09.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-23256546
10.
Extreme sensitivity of the spin-splitting and 0.7 anomaly to confining potential in one-dimensional nanoelectronic devices.
Nano Lett
; 12(9): 4495-502, 2012 Sep 12.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-22830617
11.
Impact of small-angle scattering on ballistic transport in quantum dots.
Phys Rev Lett
; 108(19): 196807, 2012 May 11.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-23003076
12.
Resistively detected nuclear magnetic resonance in n- and p-type GaAs quantum point contacts.
Nano Lett
; 11(8): 3147-50, 2011 Aug 10.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-21714512
13.
Observation of the Kondo effect in a spin-3/2 hole quantum dot.
Phys Rev Lett
; 107(7): 076805, 2011 Aug 12.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-21902417
14.
Integrated bioelectronic proton-gated logic elements utilizing nanoscale patterned Nafion.
Mater Horiz
; 8(1): 224-233, 2021 01 01.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-34821301
15.
A parylene coating system specifically designed for producing ultra-thin films for nanoscale device applications.
Rev Sci Instrum
; 90(8): 083901, 2019 Aug.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-31472654
16.
Seeing shapes in seemingly random spatial patterns: Fractal analysis of Rorschach inkblots.
PLoS One
; 12(2): e0171289, 2017.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-28196082
17.
Effects of geometrical ray chaos on the electromagnetic eigenmodes of a gradient index optical cavity.
Phys Rev E Stat Nonlin Soft Matter Phys
; 64(2 Pt 2): 026203, 2001 Aug.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-11497673
18.
Compact fourth-order finite difference method for solving differential equations.
Phys Rev E Stat Nonlin Soft Matter Phys
; 64(4 Pt 2): 047701, 2001 Oct.
Artículo
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| MEDLINE | ID: mdl-11690185
19.
A study of transport suppression in an undoped AlGaAs/GaAs quantum dot single-electron transistor.
J Phys Condens Matter
; 25(50): 505302, 2013 Dec 18.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-24275246
20.
The effect of (NH4)2Sx passivation on the (311)A GaAs surface and its use in AlGaAs/GaAs heterostructure devices.
J Phys Condens Matter
; 25(32): 325304, 2013 Aug 14.
Artículo
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| MEDLINE | ID: mdl-23860377