Detalles de la búsqueda
1.
3-D stacked polycrystalline-silicon-MOSFET-based capacitorless DRAM with superior immunity to grain-boundary's influence.
Sci Rep
; 12(1): 14455, 2022 Aug 24.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-36002621
2.
Analysis for DC and RF Characteristics Recessed-Gate GaN MOSFET Using Stacked TiO2/Si3N4 Dual-Layer Insulator.
Materials (Basel)
; 15(3)2022 Jan 21.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-35160771
3.
Design of a Capacitorless DRAM Based on a Polycrystalline-Silicon Dual-Gate MOSFET with a Fin-Shaped Structure.
Nanomaterials (Basel)
; 12(19)2022 Oct 09.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-36234653
Resultados
1 -
3
de 3
1
Próxima >
>>