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1.
Molecular-dynamics study of defect formation in a-Si:H.
Phys Rev B Condens Matter
; 51(3): 1671-1679, 1995 Jan 15.
Artículo
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| MEDLINE | ID: mdl-9978887
2.
Molecular-dynamics approach to lattice-relaxation effects on deep levels in semiconductors.
Phys Rev B Condens Matter
; 43(12): 9947-9950, 1991 Apr 15.
Artículo
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| MEDLINE | ID: mdl-9996701
3.
Effects of lattice relaxation on deep levels in semiconductors.
Phys Rev B Condens Matter
; 43(3): 2192-2200, 1991 Jan 15.
Artículo
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| MEDLINE | ID: mdl-9997491
4.
Alloy broadening of the deep electronic levels associated with the As vacancy in AlxGa
Phys Rev B Condens Matter
; 38(2): 1210-1214, 1988 Jul 15.
Artículo
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| MEDLINE | ID: mdl-9946377
5.
Theory of alloy broadening of deep levels in semiconductor alloys: Nitrogen in AlxGa1-xAs.
Phys Rev B Condens Matter
; 34(2): 927-931, 1986 Jul 15.
Artículo
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| MEDLINE | ID: mdl-9939705
6.
Deep-level wave functions including lattice-relaxation effects.
Phys Rev B Condens Matter
; 47(8): 4281-4288, 1993 Feb 15.
Artículo
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| MEDLINE | ID: mdl-10006573
7.
Semiempirical total-energy functional for silicon-hydrogen interactions in solids.
Phys Rev B Condens Matter
; 48(23): 17086-17091, 1993 Dec 15.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-10008312
8.
Theory of time-resolved luminescence of bound excitons in semiconductor alloys.
Phys Rev B Condens Matter
; 39(9): 6216-6219, 1989 Mar 15.
Artículo
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| MEDLINE | ID: mdl-9949051
9.
Chemical trends for deep levels associated with vacancy-impurity complexes in semiconductors.
Phys Rev B Condens Matter
; 40(9): 6222-6235, 1989 Sep 15.
Artículo
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| MEDLINE | ID: mdl-9992691
10.
Electronic properties of the quaternary semiconductor alloy GaSb1-x-yAsxPy: Coherent-potential approximation.
Phys Rev B Condens Matter
; 35(5): 2532-2535, 1987 Feb 15.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-9941721
11.
Theory of alloy broadening of deep levels in semiconductor alloys: Effects of second-neighbor disorder.
Phys Rev B Condens Matter
; 38(15): 10533-10541, 1988 Nov 15.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-9945908
12.
Semiempirical formalism for the calculation of deep-level wave functions in k space.
Phys Rev B Condens Matter
; 33(12): 8234-8237, 1986 Jun 15.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-9938216
13.
Generalized embedded-atom format for semiconductors.
Phys Rev B Condens Matter
; 41(2): 1247-1250, 1990 Jan 15.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-9993832
14.
Alloy disorder effects on the electronic properties of III-V quaternary semiconductor alloys.
Phys Rev B Condens Matter
; 41(6): 3582-3591, 1990 Feb 15.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-9994156
15.
Deep levels associated with triplet impurity complexes in GaP.
Phys Rev B Condens Matter
; 40(15): 10425-10429, 1989 Nov 15.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-9991589
16.
Effect of alloy disorder on the deep levels produced by the anion vacancy in GaAs1-xPx.
Phys Rev B Condens Matter
; 40(17): 11947-11950, 1989 Dec 15.
Artículo
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| MEDLINE | ID: mdl-9991807
17.
Alloy broadening of impurity electronic spectra: One-dimensional-model calculations for a ternary alloy.
Phys Rev B Condens Matter
; 32(6): 3416-3421, 1985 Sep 15.
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| MEDLINE | ID: mdl-9937480
18.
Molecular-dynamics study of the vacancy and vacancy-hydrogen interactions in silicon.
Phys Rev B Condens Matter
; 52(3): 1718-1723, 1995 Jul 15.
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| MEDLINE | ID: mdl-9981237
19.
Effects of alloy disorder on Schottky-barrier heights.
Phys Rev B Condens Matter
; 35(18): 9758-9765, 1987 Jun 15.
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| MEDLINE | ID: mdl-9941402
20.
Phonon-assisted indirect recombination of bound excitons in N-doped GaP, including near-resonant processes.
Phys Rev B Condens Matter
; 37(3): 1205-1217, 1988 Jan 15.
Artículo
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| MEDLINE | ID: mdl-9944628