Detalles de la búsqueda
1.
Single-Carrier Transport in Graphene/hBN Superlattices.
Nano Lett
; 20(4): 2551-2557, 2020 Apr 08.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-32186384
2.
Quantum transport localization through graphene.
Nanotechnology
; 28(3): 035703, 2017 Jan 20.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-27934780
3.
Self-Limiting Oxides on WSe2 as Controlled Surface Acceptors and Low-Resistance Hole Contacts.
Nano Lett
; 16(4): 2720-7, 2016 Apr 13.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-26963588
4.
Self-limiting layer-by-layer oxidation of atomically thin WSe2.
Nano Lett
; 15(3): 2067-73, 2015 Mar 11.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-25646637
5.
Thickness-dependent interfacial Coulomb scattering in atomically thin field-effect transistors.
Nano Lett
; 13(8): 3546-52, 2013 Aug 14.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-23862641
6.
Electrically Reconfigurable Organic Logic Gates: A Promising Perspective on a Dual-Gate Antiambipolar Transistor.
Adv Mater
; 34(15): e2109491, 2022 Apr.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-35146811
7.
Enhanced Selectivity in Volatile Organic Compound Gas Sensors Based on ReS2-FETs under Light-Assisted and Gate-Bias Tunable Operation.
ACS Appl Mater Interfaces
; 13(36): 43030-43038, 2021 Sep 15.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-34463490
8.
Localization to delocalization probed by magnetotransport of hBN/graphene/hBN stacks in the ultra-clean regime.
Sci Rep
; 11(1): 18845, 2021 Sep 22.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-34552168
9.
Bubble-Free Transfer Technique for High-Quality Graphene/Hexagonal Boron Nitride van der Waals Heterostructures.
ACS Appl Mater Interfaces
; 12(7): 8533-8538, 2020 Feb 19.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-32027115
10.
Barrier Formation at the Contacts of Vanadium Dioxide and Transition-Metal Dichalcogenides.
ACS Appl Mater Interfaces
; 11(40): 36871-36879, 2019 Oct 09.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-31525896
11.
Fabry-Pérot resonances and a crossover to the quantum Hall regime in ballistic graphene quantum point contacts.
Sci Rep
; 9(1): 3031, 2019 Feb 28.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-30816251
12.
Carrier Polarity Control in α-MoTe2 Schottky Junctions Based on Weak Fermi-Level Pinning.
ACS Appl Mater Interfaces
; 8(23): 14732-9, 2016 Jun 15.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-27203118
13.
Edge mixing dynamics in graphene p-n junctions in the quantum Hall regime.
Nat Commun
; 6: 8066, 2015 Sep 04.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-26337445
14.
Parity effect of bipolar quantum Hall edge transport around graphene antidots.
Sci Rep
; 5: 11723, 2015 Jun 30.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-26122468
15.
Electrostatically Reversible Polarity of Ambipolar α-MoTe2 Transistors.
ACS Nano
; 9(6): 5976-83, 2015 Jun 23.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-25988597
16.
Origin of Noise in Layered MoTe2 Transistors and its Possible Use for Environmental Sensors.
Adv Mater
; 27(42): 6612-9, 2015 Nov.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-26414685
17.
Thickness scaling effect on interfacial barrier and electrical contact to two-dimensional MoS2 layers.
ACS Nano
; 8(12): 12836-42, 2014 Dec 23.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-25470503
18.
Barrier inhomogeneities at vertically stacked graphene-based heterostructures.
Nanoscale
; 6(2): 795-9, 2014 Jan 21.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-24257682
19.
Ambipolar MoTe2 transistors and their applications in logic circuits.
Adv Mater
; 26(20): 3263-9, 2014 May 28.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-24692079
20.
Conduction tuning of graphene based on defect-induced localization.
ACS Nano
; 7(7): 5694-700, 2013 Jul 23.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-23786356