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1.
Unravelling stacking order in epitaxial bilayer MX2 using 4D-STEM with unsupervised learning.
Nanotechnology
; 31(44): 445702, 2020 Oct 30.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-32663810
2.
Peculiar alignment and strain of 2D WSe2 grown by van der Waals epitaxy on reconstructed sapphire surfaces.
Nanotechnology
; 30(46): 465601, 2019 Nov 15.
Artículo
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| MEDLINE | ID: mdl-31426041
3.
Layer-controlled epitaxy of 2D semiconductors: bridging nanoscale phenomena to wafer-scale uniformity.
Nanotechnology
; 29(42): 425602, 2018 Oct 19.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-30070657
4.
Chemical Vapor Deposition of a Single-Crystalline MoS2 Monolayer through Anisotropic 2D Crystal Growth on Stepped Sapphire Surface.
ACS Nano
; 18(4): 3173-3186, 2024 Jan 30.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-38235963
5.
Direct Assessment of Defective Regions in Monolayer MoS2 Field-Effect Transistors through In Situ Scanning Probe Microscopy Measurements.
ACS Nano
; 18(15): 10653-10666, 2024 Apr 16.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-38556983
6.
High-Density Patterning of InGaZnO by CH4: a Comparative Study of RIE and Pulsed Plasma ALE.
ACS Appl Mater Interfaces
; 2022 Jul 19.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-35850517
7.
Engineering Wafer-Scale Epitaxial Two-Dimensional Materials through Sapphire Template Screening for Advanced High-Performance Nanoelectronics.
ACS Nano
; 15(6): 9482-9494, 2021 Jun 22.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-34042437
8.
On the van der Waals Epitaxy of Homo-/Heterostructures of Transition Metal Dichalcogenides.
ACS Appl Mater Interfaces
; 12(24): 27508-27517, 2020 Jun 17.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-32447952
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