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1.
Correlation Between Two-Dimensional Electron Gas Mobility and Crystal Quality in AlGaN/GaN High-Electron-Mobility Transistor Structure Grown on 4H-SiC.
J Nanosci Nanotechnol
; 17(1): 577-80, 2017 Jan.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-29630184
2.
Inclined angle-controlled growth of GaN nanorods on m-sapphire by metal organic chemical vapor deposition without a catalyst.
Nanotechnology
; 26(33): 335601, 2015 Aug 21.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-26222432
3.
Growth of semipolar InGaN quantum well structure using self-organized nano-masks on m-sapphire.
J Nanosci Nanotechnol
; 13(9): 6429-33, 2013 Sep.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-24205676
4.
Correlation between the Surface Undulation and Luminescence Characteristics in Semi-Polar 112¯2 InGaN/GaN Multi-Quantum Wells.
Nanomaterials (Basel)
; 13(13)2023 Jun 27.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-37446462
5.
Microstructural Gradational Properties of Sn-Doped Gallium Oxide Heteroepitaxial Layers Grown Using Mist Chemical Vapor Deposition.
Materials (Basel)
; 15(3)2022 Jan 29.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-35161000
6.
Overgrowth of Single Crystal Diamond Using Defect-Selective Etching and Epitaxy Technique in Chemical Vapor Deposition.
J Nanosci Nanotechnol
; 21(8): 4412-4417, 2021 Aug 01.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-33714336
7.
Deep-Ultraviolet AlGaN/AlN Core-Shell Multiple Quantum Wells on AlN Nanorods via Lithography-Free Method.
Sci Rep
; 8(1): 935, 2018 01 17.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-29343856
8.
Improved carrier injection of AlGaN-based deep ultraviolet light emitting diodes with graded superlattice electron blocking layers.
RSC Adv
; 8(62): 35528-35533, 2018 Oct 15.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-35547917
9.
Colour-crafted phosphor-free white light emitters via in-situ nanostructure engineering.
Sci Rep
; 7: 44148, 2017 03 08.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-28272455
10.
GaN Epitaxial Layer Grown with Conductive Al(x)Ga(1-x)N Buffer Layer on SiC Substrate Using Metal Organic Chemical Vapor Deposition.
J Nanosci Nanotechnol
; 16(5): 4914-8, 2016 May.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-27483845
11.
Recent Advances in Nonpolar and Semipolar InGaN Light-Emitting Diodes (LEDs).
J Nanosci Nanotechnol
; 15(3): 1895-906, 2015 Mar.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-26413605
12.
Phosphor-free white-light emitters using in-situ GaN nanostructures grown by metal organic chemical vapor deposition.
Sci Rep
; 5: 17372, 2015 Dec 02.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-26626890
13.
Fabrication of AIN Nano-Structures Using Polarity Control by High Temperature Metalorganic Chemical Vapor Deposition.
J Nanosci Nanotechnol
; 15(7): 5144-7, 2015 Jul.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-26373093
14.
High Quality Al-Polar AIN Growth on (0001) Sapphire Using Polarity-Selective Thermal Etching by High Temperature Metalorganic Chemical Vapor Deposition.
J Nanosci Nanotechnol
; 15(11): 8401-6, 2015 Nov.
Artículo
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| MEDLINE | ID: mdl-26726524
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