Detalles de la búsqueda
1.
Metal-oxide interface reactions and their effect on integrated resistive/threshold switching in NbO x.
Nanotechnology
; 31(23): 235701, 2020 Mar 20.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-32079000
2.
Biorealistic Neuronal Temperature-Sensitive Dynamics within Threshold Switching Memristors: Toward Neuromorphic Thermosensation.
ACS Appl Mater Interfaces
; 16(24): 31283-31293, 2024 Jun 19.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-38836546
3.
Optically Tunable Electrical Oscillations in Oxide-Based Memristors for Neuromorphic Computing.
Adv Mater
; 36(25): e2400904, 2024 Jun.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-38516720
4.
A model for the noninvasive, habitat-inclusive estimation of upper limit abundance for synanthropes, exemplified by M. fascicularis.
Sci Adv
; 10(21): eadn5390, 2024 May 24.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-38787941
5.
Thermal transport in metal-NbOx-metal cross-point devices and its effect on threshold switching characteristics.
Nanoscale
; 15(16): 7559-7565, 2023 Apr 27.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-37038892
6.
Design and Application of Memristive Balanced Ternary Univariate Logic Circuit.
Micromachines (Basel)
; 14(10)2023 Sep 30.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-37893333
7.
Effect of Interdiffusion and Crystallization on Threshold Switching Characteristics of Nb/Nb2O5/Pt Memristors.
ACS Appl Mater Interfaces
; 15(50): 58613-58622, 2023 Dec 20.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-38051757
8.
Physical Origin of Negative Differential Resistance in V3 O5 and Its Application as a Solid-State Oscillator.
Adv Mater
; 35(8): e2208477, 2023 Feb.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-36461165
9.
Thermal Conductivity of Amorphous NbOx Thin Films and Its Effect on Volatile Memristive Switching.
ACS Appl Mater Interfaces
; 14(18): 21270-21277, 2022 May 11.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-35485924
10.
High Spatial Resolution Thermal Mapping of Volatile Switching in NbOx-Based Memristor Using In Situ Scanning Thermal Microscopy.
ACS Appl Mater Interfaces
; 14(25): 29025-29031, 2022 Jun 29.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-35700145
11.
Engineering the Threshold Switching Response of Nb2O5-Based Memristors by Ti Doping.
ACS Appl Mater Interfaces
; 13(2): 2845-2852, 2021 Jan 20.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-33406833
12.
Electric Field- and Current-Induced Electroforming Modes in NbOx.
ACS Appl Mater Interfaces
; 12(7): 8422-8428, 2020 Feb 19.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-31989818
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