Detalles de la búsqueda
1.
Extremely high frequency Schottky diodes based on single GaN nanowires.
Nanotechnology
; 34(24)2023 Mar 30.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-36928235
2.
Correlated optical and electrical analyses of inhomogeneous core/shell InGaN/GaN nanowire light emitting diodes.
Nanotechnology
; 32(10): 105202, 2021 Mar 05.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-33142273
3.
Fabrication and electrical study of large area free-standing membrane with embedded GaP NWs for flexible devices.
Nanotechnology
; 31(46): 46LT01, 2020 Nov 13.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-32877371
4.
Hydrogen passivation of the n-GaN nanowire/p-Si heterointerface.
Nanotechnology
; 31(24): 244003, 2020 Mar 27.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-32066120
5.
Investigation of Photovoltaic Properties of Single Core-Shell GaN/InGaN Wires.
ACS Appl Mater Interfaces
; 7(39): 21898-906, 2015 Oct 07.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-26378593
6.
Core-shell InGaN/GaN nanowire light emitting diodes analyzed by electron beam induced current microscopy and cathodoluminescence mapping.
Nanoscale
; 7(27): 11692-701, 2015 Jul 21.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-26100114
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