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1.
Strongly Confined Excitons in GaN/AlN Nanostructures with Atomically Thin GaN Layers for Efficient Light Emission in Deep-Ultraviolet.
Nano Lett
; 20(1): 158-165, 2020 Jan 08.
Artículo
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| MEDLINE | ID: mdl-31756115
2.
The Landé factors of electrons and holes in lead halide perovskites: universal dependence on the band gap.
Nat Commun
; 13(1): 3062, 2022 Jun 02.
Artículo
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| MEDLINE | ID: mdl-35654813
3.
Electronic band structure in n-type GaAs/AlGaAs wide quantum wells in tilted magnetic field.
J Phys Condens Matter
; 32(3): 035303, 2020 Jan 16.
Artículo
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| MEDLINE | ID: mdl-31578004
4.
Tight-binding calculations of SiGe alloy nanocrystals in SiO2 matrix.
J Phys Condens Matter
; 31(38): 385301, 2019 Sep 25.
Artículo
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| MEDLINE | ID: mdl-31189146
5.
Virtual crystal description of III-V semiconductor alloys in the tight binding approach.
J Phys Condens Matter
; 28(30): 305801, 2016 08 03.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-27270264
6.
Intrinsic interface states in InAs-AlSb heterostructures.
J Phys Condens Matter
; 28(4): 045001, 2016 Feb 03.
Artículo
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| MEDLINE | ID: mdl-26732184
7.
STM images of subsurface Mn atoms in GaAs: evidence of hybridization of surface and impurity states.
Phys Rev Lett
; 101(19): 196801, 2008 Nov 07.
Artículo
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| MEDLINE | ID: mdl-19113292
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