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1.
On-Chip Circularly Polarized Circular Loop Antennas Utilizing 4H-SiC and GaAs Substrates in the Q/V Band.
Sensors (Basel)
; 24(2)2024 Jan 05.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-38257414
2.
Few-photon detection using InAs avalanche photodiodes.
Opt Express
; 27(4): 5835-5842, 2019 Feb 18.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-30876178
3.
Effects of carrier injection profile on low noise thin Al0.85Ga0.15As0.56Sb0.44 avalanche photodiodes.
Opt Express
; 26(3): 3568-3576, 2018 Feb 05.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-29401884
4.
Proton radiation effect on InAs avalanche photodiodes.
Opt Express
; 25(3): 2818-2825, 2017 Feb 06.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-29518998
5.
InGaAs/AlGaAsSb avalanche photodiode with high gain-bandwidth product.
Opt Express
; 24(21): 24242-24247, 2016 Oct 17.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-27828254
6.
1550 nm InGaAs/InAlAs single photon avalanche diode at room temperature.
Opt Express
; 22(19): 22608-15, 2014 Sep 22.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-25321730
7.
Temperature dependence of impact ionization in InAs.
Opt Express
; 21(7): 8630-7, 2013 Apr 08.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-23571953
8.
1300 nm wavelength InAs quantum dot photodetector grown on silicon.
Opt Express
; 20(10): 10446-52, 2012 May 07.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-22565669
9.
Thin Al1-x Ga x As0.56Sb0.44 diodes with extremely weak temperature dependence of avalanche breakdown.
R Soc Open Sci
; 4(5): 170071, 2017 May.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-28573013
10.
InGaAs/InAlAs single photon avalanche diode for 1550â nm photons.
R Soc Open Sci
; 3(3): 150584, 2016 Mar.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-27069647
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