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1.
Hole-Spin Driving by Strain-Induced Spin-Orbit Interactions.
Phys Rev Lett
; 131(9): 097002, 2023 Sep 01.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-37721821
2.
Bilinear Magnetoresistance in HgTe Topological Insulator: Opposite Signs at Opposite Surfaces Demonstrated by Gate Control.
Nano Lett
; 22(19): 7867-7873, 2022 Oct 12.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-36136339
3.
Split-Channel Ballistic Transport in an InSb Nanowire.
Nano Lett
; 18(4): 2282-2287, 2018 04 11.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-29513545
4.
Electrical Spin Driving by g-Matrix Modulation in Spin-Orbit Qubits.
Phys Rev Lett
; 120(13): 137702, 2018 Mar 30.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-29694195
5.
Magnetic-Phase Dependence of the Spin Carrier Mean Free Path in Graphene Nanoribbons.
Phys Rev Lett
; 116(23): 236602, 2016 Jun 10.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-27341249
6.
Quantum dot made in metal oxide silicon-nanowire field effect transistor working at room temperature.
Nano Lett
; 15(5): 2958-64, 2015 May 13.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-25923197
7.
Few-electron edge-state quantum dots in a silicon nanowire field-effect transistor.
Nano Lett
; 14(4): 2094-8, 2014.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-24611581
8.
Magnetotransport subband spectroscopy in InAs nanowires.
Phys Rev Lett
; 112(7): 076801, 2014 Feb 21.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-24579622
9.
Effects of strain on the carrier mobility in silicon nanowires.
Nano Lett
; 12(7): 3545-50, 2012 Jul 11.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-22694664
10.
Strong coupling between a photon and a hole spin in silicon.
Nat Nanotechnol
; 18(7): 741-746, 2023 Jul.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-36879125
11.
Two-dimensional graphene with structural defects: elastic mean free path, minimum conductivity, and Anderson transition.
Phys Rev Lett
; 106(4): 046803, 2011 Jan 28.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-21405346
12.
Single donor electronics and quantum functionalities with advanced CMOS technology.
J Phys Condens Matter
; 28(10): 103001, 2016 Mar 16.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-26871255
13.
Atomistic boron-doped graphene field-effect transistors: a route toward unipolar characteristics.
ACS Nano
; 6(9): 7942-7, 2012 Sep 25.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-22876866
14.
Transport length scales in disordered graphene-based materials: strong localization regimes and dimensionality effects.
Phys Rev Lett
; 100(3): 036803, 2008 Jan 25.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-18233020
15.
Charge transport in chemically doped 2D graphene.
Phys Rev Lett
; 101(3): 036808, 2008 Jul 18.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-18764279
16.
Orientational dependence of charge transport in disordered silicon nanowires.
Nano Lett
; 8(12): 4146-50, 2008 Dec.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-19367959
17.
Strain and shape of epitaxial InAs/InP nanowire superlattice measured by grazing incidence X-ray techniques.
Nano Lett
; 7(9): 2596-601, 2007 Sep.
Artículo
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| MEDLINE | ID: mdl-17722944
18.
Confinement effects and tunnelling through quantum dots.
Philos Trans A Math Phys Eng Sci
; 361(1803): 259-72; discussion 272-3, 2003 Feb 15.
Artículo
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| MEDLINE | ID: mdl-12639382
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