Detalles de la búsqueda
1.
Mechanisms of the Device Property Alteration Generated by the Proton Irradiation in GaN-Based MIS-HEMTs Using Extremely Thin Gate Insulator.
Nanomaterials (Basel)
; 13(5)2023 Feb 27.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-36903774
2.
Comprehensive Research of Total Ionizing Dose Effects in GaN-Based MIS-HEMTs Using Extremely Thin Gate Dielectric Layer.
Nanomaterials (Basel)
; 10(11)2020 Oct 30.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-33143313
3.
Charging Effect by Fluorine-Treatment and Recess Gate for Enhancement-Mode on AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistors.
Nanomaterials (Basel)
; 10(11)2020 Oct 24.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-33114425
4.
Immuno-PET imaging based radioimmunotherapy in head and neck squamous cell carcinoma model.
Oncotarget
; 8(54): 92090-92105, 2017 Nov 03.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-29190900
Resultados
1 -
4
de 4
1
Próxima >
>>