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High Quality AlN Layer Grown on Patterned Sapphire Substrates by Hydride Vapor-Phase Epitaxy: A Route for Cost Efficient AlN Templates for Deep Ultraviolet Light Devices.
J Nanosci Nanotechnol
; 21(9): 4881-4885, 2021 Sep 01.
Artículo
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| MEDLINE | ID: mdl-33691883
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