Detalles de la búsqueda
1.
Sub-surface Imaging of Porous GaN Distributed Bragg Reflectors via Backscattered Electrons.
Microsc Microanal
; 30(2): 208-225, 2024 Apr 29.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-38578956
2.
Core-Shell Nanorods as Ultraviolet Light-Emitting Diodes.
Nano Lett
; 23(4): 1451-1458, 2023 Feb 22.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-36748796
3.
Three-Photon Excitation of InGaN Quantum Dots.
Phys Rev Lett
; 130(8): 083602, 2023 Feb 24.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-36898105
4.
Mapping emission heterogeneity in layered halide perovskites using cathodoluminescence.
Nanotechnology
; 35(10)2023 Dec 27.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-38055988
5.
Preface to the special issue on Microscopy of Semiconducting Materials 2023.
J Microsc
; 293(3): 135-137, 2024 Mar.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-38282251
6.
InGaN as a Substrate for AC Photoelectrochemical Imaging.
Sensors (Basel)
; 19(20)2019 Oct 11.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-31614420
7.
Ultra-low-threshold InGaN/GaN quantum dot micro-ring lasers.
Opt Lett
; 43(4): 799-802, 2018 Feb 15.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-29443997
8.
Dislocations in AlGaN: Core Structure, Atom Segregation, and Optical Properties.
Nano Lett
; 17(8): 4846-4852, 2017 08 09.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-28707893
9.
Ultrafast, Polarized, Single-Photon Emission from m-Plane InGaN Quantum Dots on GaN Nanowires.
Nano Lett
; 16(12): 7779-7785, 2016 12 14.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-27960480
10.
Nanocomposites of TiO2/cyanoethylated cellulose with ultra high dielectric constants.
Nanotechnology
; 27(19): 195402, 2016 May 13.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-27040504
11.
A study of the optical and polarisation properties of InGaN/GaN multiple quantum wells grown on a-plane and m-plane GaN substrates.
Sci Technol Adv Mater
; 17(1): 736-743, 2016.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-27933113
12.
Nanocathodoluminescence Reveals Mitigation of the Stark Shift in InGaN Quantum Wells by Si Doping.
Nano Lett
; 15(11): 7639-43, 2015 Nov 11.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-26488912
13.
Practical Issues for Atom Probe Tomography Analysis of III-Nitride Semiconductor Materials.
Microsc Microanal
; 21(3): 544-56, 2015 Jun.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-25926083
14.
Coincident electron channeling and cathodoluminescence studies of threading dislocations in GaN.
Microsc Microanal
; 20(1): 55-60, 2014 Feb.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-24230966
15.
Scanning capacitance microscopy of GaN-based high electron mobility transistor structures: A practical guide.
Ultramicroscopy
; 254: 113833, 2023 Dec.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-37666104
16.
Monitoring of the Initial Stages of Diamond Growth on Aluminum Nitride Using In Situ Spectroscopic Ellipsometry.
ACS Omega
; 8(33): 30442-30449, 2023 Aug 22.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-37636904
17.
Dielectric behaviour of plasma hydrogenated TiO2/cyanoethylated cellulose nanocomposites.
Nanoscale
; 15(4): 1824-1834, 2023 Jan 27.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-36602164
18.
Complications in silane-assisted GaN nanowire growth.
Nanoscale Adv
; 5(9): 2610-2620, 2023 May 02.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-37143793
19.
Additive GaN Solid Immersion Lenses for Enhanced Photon Extraction Efficiency from Diamond Color Centers.
ACS Photonics
; 10(9): 3374-3383, 2023 Sep 20.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-37743941
20.
Unintentional doping in GaN.
Phys Chem Chem Phys
; 14(27): 9558-73, 2012 Jul 21.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-22684337