Detalles de la búsqueda
1.
Exploiting Ambipolarity in Graphene Field-Effect Transistors for Novel Designs on High-Frequency Analog Electronics.
Small
; 19(49): e2303595, 2023 Dec.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-37612804
2.
Physics-based bias-dependent compact modeling of 1/f noise in single- to few-layer 2D-FETs.
Nanoscale
; 15(14): 6853-6863, 2023 Apr 06.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-36961453
3.
Compact Modeling Technology for the Simulation of Integrated Circuits Based on Graphene Field-Effect Transistors.
Adv Mater
; 34(48): e2201691, 2022 Dec.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-35593428
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