Detalles de la búsqueda
1.
Defect engineering: reduction effect of hydrogen atom impurities in HfO2-based resistive-switching memory devices.
Nanotechnology
; 23(32): 325702, 2012 Aug 17.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-22825561
2.
Low-power and controllable memory window in Pt/Pr0.7Ca0.3MnO3/yttria-stabilized zirconia/W resistive random-access memory devices.
J Nanosci Nanotechnol
; 12(4): 3252-5, 2012 Apr.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-22849099
3.
Diode-less bilayer oxide (WO(x)-NbO(x)) device for cross-point resistive memory applications.
Nanotechnology
; 22(47): 475702, 2011 Nov 25.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-22056387
4.
Analog memory and spike-timing-dependent plasticity characteristics of a nanoscale titanium oxide bilayer resistive switching device.
Nanotechnology
; 22(25): 254023, 2011 Jun 24.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-21572200
5.
An electrically modifiable synapse array of resistive switching memory.
Nanotechnology
; 20(34): 345201, 2009 Aug 26.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-19652272
6.
High current density and nonlinearity combination of selection device based on TaO(x)/TiO2/TaO(x) structure for one selector-one resistor arrays.
ACS Nano
; 6(9): 8166-72, 2012 Sep 25.
Artículo
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| MEDLINE | ID: mdl-22928469
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