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1.
Negative gate bias and light illumination-induced hump in amorphous InGaZnO thin film transistor.
J Nanosci Nanotechnol
; 13(11): 7535-9, 2013 Nov.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-24245287
2.
A high-performance complementary inverter based on transition metal dichalcogenide field-effect transistors.
Nanoscale Res Lett
; 10: 115, 2015.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-25852410
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