Detalles de la búsqueda
1.
A perspective on the physical scaling down of hafnia-based ferroelectrics.
Nanotechnology
; 34(20)2023 Feb 28.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-36745914
2.
Influence of Hemodialysis Catheter Insertion on Hemodynamics in the Central Veins.
J Biomech Eng
; 142(9)2020 09 01.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-32110795
3.
Fluorite-structure antiferroelectrics.
Rep Prog Phys
; 82(12): 124502, 2019 Dec.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-31574497
4.
Temporary formation of highly conducting domain walls for non-destructive read-out of ferroelectric domain-wall resistance switching memories.
Nat Mater
; 17(1): 49-56, 2018 01.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-29180776
5.
Lanthanum-Doped Hafnium Oxide: A Robust Ferroelectric Material.
Inorg Chem
; 57(5): 2752-2765, 2018 Mar 05.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-29446630
6.
Voltage Drop in a Ferroelectric Single Layer Capacitor by Retarded Domain Nucleation.
Nano Lett
; 17(12): 7796-7802, 2017 12 13.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-29111746
7.
Preparation and characterization of ferroelectric Hf0.5Zr0.5O2 thin films grown by reactive sputtering.
Nanotechnology
; 28(30): 305703, 2017 Jul 28.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-28562366
8.
Time-Dependent Negative Capacitance Effects in Al2O3/BaTiO3 Bilayers.
Nano Lett
; 16(7): 4375-81, 2016 07 13.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-27231754
9.
Hafnia-Based Ferroelectric Memory: Device Physics Strongly Correlated with Materials Chemistry.
J Phys Chem Lett
; 15(4): 983-997, 2024 Feb 01.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-38252652
10.
From Ferroelectric Material Optimization to Neuromorphic Devices.
Adv Mater
; 35(37): e2206042, 2023 Sep.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-36017895
11.
Role of oxygen vacancies in ferroelectric or resistive switching hafnium oxide.
Nano Converg
; 10(1): 55, 2023 Dec 01.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-38038784
12.
Correction: Interfacial engineering of a Mo/Hf0.3Zr0.7O2/Si capacitor using the direct scavenging effect of a thin Ti layer.
Chem Commun (Camb)
; 59(18): 2668, 2023 Feb 28.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-36799462
13.
Revival of Ferroelectric Memories Based on Emerging Fluorite-Structured Ferroelectrics.
Adv Mater
; 35(43): e2204904, 2023 Oct.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-35952355
14.
Reversible transition between the polar and antipolar phases and its implications for wake-up and fatigue in HfO2-based ferroelectric thin film.
Nat Commun
; 13(1): 645, 2022 Feb 03.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-35115504
15.
Comparison of balance ability and physical fitness according to the growth period in taekwondo players.
J Exerc Rehabil
; 17(5): 354-361, 2021 Oct.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-34805025
16.
Suppressed Stochastic Switching Behavior and Improved Synaptic Functions in an Atomic Switch Embedded with a 2D NbSe2 Material.
ACS Appl Mater Interfaces
; 13(8): 10161-10170, 2021 Mar 03.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-33591167
17.
Ultra-flexible and rollable 2D-MoS2/Si heterojunction-based near-infrared photodetector via direct synthesis.
Nanoscale
; 13(2): 672-680, 2021 Jan 21.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-33346769
18.
Interfacial engineering of a Mo/Hf0.3Zr0.7O2/Si capacitor using the direct scavenging effect of a thin Ti layer.
Chem Commun (Camb)
; 57(93): 12452-12455, 2021 Nov 23.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-34710209
19.
A Comparative Study on the Ferroelectric Performances in Atomic Layer Deposited Hf0.5Zr0.5O2 Thin Films Using Tetrakis(ethylmethylamino) and Tetrakis(dimethylamino) Precursors.
Nanoscale Res Lett
; 15(1): 72, 2020 Apr 07.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-32266598
20.
Understanding ferroelectric phase formation in doped HfO2 thin films based on classical nucleation theory.
Nanoscale
; 11(41): 19477-19487, 2019 Nov 07.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-31549704