Detalles de la búsqueda
1.
Photocurrent characteristics of HgTe nanoparticle films-Si nanowires heterojunctions made using a simple transfer-dropping method.
J Nanosci Nanotechnol
; 13(5): 3539-41, 2013 May.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-23858897
2.
Influences of electrode materials on the resistive memory switching properties of ZnOxS1-x:Mn thin films.
J Nanosci Nanotechnol
; 13(9): 6208-11, 2013 Sep.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-24205630
3.
Annealing Effect of Al2O3 Tunnel Barriers in HfO2-Based ReRAM Devices on Nonlinear Resistive Switching Characteristics.
J Nanosci Nanotechnol
; 15(10): 7569-72, 2015 Oct.
Artículo
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| MEDLINE | ID: mdl-26726373
4.
Effect of oxidizable electrode material on resistive switching characteristics of ZnO(x)S(1-x) films.
J Nanosci Nanotechnol
; 14(11): 8187-90, 2014 Nov.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-25958497
5.
Resistive switching characteristics of HfO2-based memory devices on flexible plastics.
J Nanosci Nanotechnol
; 14(11): 8191-5, 2014 Nov.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-25958498
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