Detalles de la búsqueda
1.
Whole-genome sequencing of Beauveria bassiana KNU-101 using the hybrid assembly approach.
Microbiol Resour Announc
; 13(2): e0068123, 2024 Feb 15.
Artículo
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| MEDLINE | ID: mdl-38236017
2.
Changes in Microbial Community Structure in Response to Gummosis in Peach Tree Bark.
Plants (Basel)
; 11(21)2022 Oct 25.
Artículo
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| MEDLINE | ID: mdl-36365287
3.
Alteration of the Soil Microbiota in Ginseng Rusty Roots: Application of Machine Learning Algorithm to Explore Potential Biomarkers for Diagnostic and Predictive Analytics.
J Agric Food Chem
; 69(29): 8298-8306, 2021 Jul 28.
Artículo
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| MEDLINE | ID: mdl-34043355
4.
Defect-Engineered Electroforming-Free Analog HfOx Memristor and Its Application to the Neural Network.
ACS Appl Mater Interfaces
; 11(50): 47063-47072, 2019 Dec 18.
Artículo
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| MEDLINE | ID: mdl-31741373
5.
Balancing the Source and Sink of Oxygen Vacancies for the Resistive Switching Memory.
ACS Appl Mater Interfaces
; 10(25): 21445-21450, 2018 Jun 27.
Artículo
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| MEDLINE | ID: mdl-29877075
6.
7.
Roles of conducting filament and non-filament regions in the Ta2O5 and HfO2 resistive switching memory for switching reliability.
Nanoscale
; 9(18): 6010-6019, 2017 May 11.
Artículo
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| MEDLINE | ID: mdl-28443901
8.
The current limit and self-rectification functionalities in the TiO2/HfO2 resistive switching material system.
Nanoscale
; 9(33): 11920-11928, 2017 Aug 24.
Artículo
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| MEDLINE | ID: mdl-28786468
9.
Uniform Self-rectifying Resistive Switching Behavior via Preformed Conducting Paths in a Vertical-type Ta2O5/HfO2-x Structure with a Sub-µm(2) Cell Area.
ACS Appl Mater Interfaces
; 8(28): 18215-21, 2016 Jul 20.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-27347693
10.
A study of the transition between the non-polar and bipolar resistance switching mechanisms in the TiN/TiO2/Al memory.
Nanoscale
; 8(36): 16455-66, 2016 Sep 28.
Artículo
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| MEDLINE | ID: mdl-27604046
11.
Dual conical conducting filament model in resistance switching TiO2 thin films.
Sci Rep
; 5: 7844, 2015 Jan 19.
Artículo
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| MEDLINE | ID: mdl-25598439
12.
Thickness effect of ultra-thin Ta2O5 resistance switching layer in 28 nm-diameter memory cell.
Sci Rep
; 5: 15965, 2015 Nov 03.
Artículo
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| MEDLINE | ID: mdl-26527044
13.
Pt/Ta2 O5 /HfO2- x /Ti resistive switching memory competing with multilevel NAND flash.
Adv Mater
; 27(25): 3811-6, 2015 Jul 01.
Artículo
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| MEDLINE | ID: mdl-25973913
14.
Evolution of the shape of the conducting channel in complementary resistive switching transition metal oxides.
Nanoscale
; 6(4): 2161-9, 2014 Feb 21.
Artículo
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| MEDLINE | ID: mdl-24366553
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