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1.
Voltage-Polarity Dependent Programming Behaviors of Amorphous In-Ga-Zn-O Thin-Film Transistor Memory with an Atomic-Layer-Deposited ZnO Charge Trapping Layer.
Nanoscale Res Lett
; 14(1): 363, 2019 Dec 02.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-31792629
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