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1.
Highly uniform zinc blende GaAs nanowires on Si(111) using a controlled chemical oxide template.
Nanotechnology
; 28(25): 255602, 2017 Jun 23.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-28475104
2.
Effect of annealing on the properties of indium-tin-oxynitride films as ohmic contacts for gan-based optoelectronic devices.
ACS Appl Mater Interfaces
; 1(7): 1451-6, 2009 Jul.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-20355948
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