Detalles de la búsqueda
1.
Linking mass measured by the quartz crystal microbalance to the SI.
Metrologia
; 57(2)2020.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-38487595
2.
Analysis of Thickness and Quality factor of a Double Paddle Oscillator at Room Temperature.
Proc IEEE Inst Electr Electron Eng
; 20162016.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-28502991
3.
Testing three-body quantum electrodynamics with trapped Ti20+ ions: evidence for a Z-dependent divergence between experiment and calculation.
Phys Rev Lett
; 109(15): 153001, 2012 Oct 12.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-23102303
4.
Charge state dependent energy deposition by ion impact.
Phys Rev Lett
; 107(6): 063202, 2011 Aug 05.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-21902321
5.
Developing Single Layer MOS Quantum Dots for Diagnostic Qubits.
J Vac Sci Technol B Nanotechnol Microelectron
; 39(1)2021.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-34249479
6.
Alternatives to aluminum gates for silicon quantum devices: defects and strain.
J Appl Phys
; 130(11)2021.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-36733463
7.
Reduction of charge offset drift using plasma oxidized aluminum in SETs.
Sci Rep
; 10(1): 18216, 2020 Oct 26.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-33106545
8.
Targeted enrichment of 28Si thin films for quantum computing.
J Phys Commun
; 4(3)2020.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-33043155
9.
A compact, ultra-high vacuum ion source for isotopically enriching and depositing 28Si thin films.
Rev Sci Instrum
; 90(8): 083308, 2019 Aug.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-31472599
10.
Use of quantum effects as potential qualifying metrics for "quantum grade silicon".
AIP Adv
; 9(12)2019.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-38680503
11.
Chantler et al. reply.
Phys Rev Lett
; 110(15): 159302, 2013 Apr 12.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-25167322
12.
STM patterned nanowire measurements using photolithographically defined implants in Si(100).
Sci Rep
; 8(1): 1790, 2018 01 29.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-29379057
13.
Reduced resistance drift in tunnel junctions using confined tunnel barriers.
J Appl Phys
; 122(18)2017 11.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-29375156
14.
Temperature dependent 29Si incorporation during deposition of highly enriched 28Si films.
Phys Rev Mater
; 1(6)2017 Nov.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-29354799
15.
Energy dissipation of highly charged ions on Al oxide films.
J Phys Condens Matter
; 22(8): 084008, 2010 Mar 03.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-21389384
16.
The 3C/3D line ratio in Ni XIX: New Ab Initio theory and experimental results.
Phys Rev Lett
; 97(14): 143201, 2006 Oct 06.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-17155246
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