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1.
The formation and functional consequences of heterogeneous mitochondrial distributions in skeletal muscle.
J Exp Biol
; 215(Pt 11): 1871-83, 2012 Jun 01.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-22573766
2.
Imaging the wave-function amplitudes in cleaved semiconductor quantum boxes
Phys Rev Lett
; 85(5): 1068-71, 2000 Jul 31.
Artículo
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| MEDLINE | ID: mdl-10991476
3.
Origin of self-assembled quantum dots in highly mismatched heteroepitaxy.
Phys Rev Lett
; 75(1): 93-96, 1995 Jul 03.
Artículo
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| MEDLINE | ID: mdl-10059123
4.
Theory of the chemical shift at relaxed (110) surfaces of III-V semiconductor compounds.
Phys Rev Lett
; 58(19): 1989-1991, 1987 May 11.
Artículo
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| MEDLINE | ID: mdl-10034591
5.
Confinement and parallel-conduction effective mass in an ultrathin strained quantum-well system.
Phys Rev B Condens Matter
; 44(11): 5889-5892, 1991 Sep 15.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-9998436
6.
Analog of the k
Phys Rev B Condens Matter
; 44(19): 10559-10567, 1991 Nov 15.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-9999081
7.
Band-offset transitivity in strained (001) heterointerfaces.
Phys Rev B Condens Matter
; 45(11): 6259-6262, 1992 Mar 15.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-10000374
8.
Band-edge deformation potentials in a tight-binding framework.
Phys Rev B Condens Matter
; 37(14): 8519-8522, 1988 May 15.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-9944209
9.
Theoretical calculation of band-edge discontinuities near a strained heterojunction: Application to (In,Ga)As/GaAs.
Phys Rev B Condens Matter
; 38(14): 9870-9873, 1988 Nov 15.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-9945809
10.
Self-consistent band-edge deformation potentials in a tight-binding framework.
Phys Rev B Condens Matter
; 38(18): 13451-13452, 1988 Dec 15.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-9946336
11.
Tight-binding calculation of the band offset at the Ge-GaAs (110) interface using a local charge-neutrality condition.
Phys Rev B Condens Matter
; 33(10): 7386-7388, 1986 May 15.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-9938100
12.
Role of localized interface states at type-II heterojunctions.
Phys Rev B Condens Matter
; 49(4): 2919-2922, 1994 Jan 15.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-10011131
13.
Electric field dependence of the binding energy of shallow donors in GaAs-Ga1-xAlxAs quantum wells.
Phys Rev B Condens Matter
; 32(4): 2378-2381, 1985 Aug 15.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-9937311
14.
Theoretical approach for n-i-p-i silicon.
Phys Rev B Condens Matter
; 35(6): 2904-2908, 1987 Feb 15.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-9941771
15.
Theoretical approach to heterojunction valence-band discontinuities: Case of a common anion.
Phys Rev B Condens Matter
; 36(2): 1105-1110, 1987 Jul 15.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-9942916
16.
Spin orientation at semiconductor heterointerfaces.
Phys Rev B Condens Matter
; 51(7): 4707-4710, 1995 Feb 15.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-9979332
17.
Calculation of hydrostatic and uniaxial deformation potentials with a self-consistent tight-binding model for Zn-cation-based II-VI compounds.
Phys Rev B Condens Matter
; 44(12): 6118-6124, 1991 Sep 15.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-9998472
18.
Role of dangling bonds at Schottky barriers and semiconductor heterojunctions.
Phys Rev B Condens Matter
; 36(2): 1336-1339, 1987 Jul 15.
Artículo
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| MEDLINE | ID: mdl-9942958
19.
Strain, size, and composition of InAs quantum sticks embedded in InP determined via grazing incidence x-ray anomalous diffraction.
Phys Rev Lett
; 92(18): 186101, 2004 May 07.
Artículo
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| MEDLINE | ID: mdl-15169510
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