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1.
Carrier-Transport Study of Gallium Arsenide Hillock Defects.
Microsc Microanal
; 25(5): 1160-1166, 2019 10.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-31475657
2.
In Situ Smoothing of Facets on Spalled GaAs(100) Substrates during OMVPE Growth of III-V Epilayers, Solar Cells, and Other Devices: The Impact of Surface Impurities/Dopants.
Cryst Growth Des
; 24(8): 3218-3227, 2024 Apr 17.
Artículo
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| MEDLINE | ID: mdl-38659661
3.
Nucleation and Growth of GaAs on a Carbon Release Layer by Halide Vapor Phase Epitaxy.
ACS Omega
; 8(47): 45088-45095, 2023 Nov 28.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-38046304
4.
Consideration of the Intricacies Inherent in Molecular Beam Epitaxy of the NaCl/GaAs System.
ACS Omega
; 7(28): 24353-24364, 2022 Jul 19.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-35874259
5.
Patterning Metal Grids for GaAs Solar Cells with Cracked Film Lithography: Quantifying the Cost/Performance Tradeoff.
ACS Appl Mater Interfaces
; 12(37): 41471-41476, 2020 Sep 16.
Artículo
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| MEDLINE | ID: mdl-32820889
6.
Publisher Correction: Gallium arsenide solar cells grown at rates exceeding 300 µm h-1 by hydride vapor phase epitaxy.
Nat Commun
; 10(1): 4070, 2019 Sep 03.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-31481675
7.
Gallium arsenide solar cells grown at rates exceeding 300 µm h-1 by hydride vapor phase epitaxy.
Nat Commun
; 10(1): 3361, 2019 Jul 26.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-31350402
8.
Room-temperature electron spin amplifier based on Ga(In)NAs alloys.
Adv Mater
; 25(5): 738-42, 2013 Feb 06.
Artículo
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| MEDLINE | ID: mdl-23108727
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