Detalles de la búsqueda
1.
Background-Free Near-Infrared Biphoton Emission from Single GaAs Nanowires.
Nano Lett
; 23(8): 3245-3250, 2023 Apr 26.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-37057961
2.
Growing self-assisted GaAs nanowires up to 80µm long by molecular beam epitaxy.
Nanotechnology
; 34(4)2022 Nov 11.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-36270200
3.
Thermoelectric La-doped SrTiO3 epitaxial layers with single-crystal quality: from nano to micrometers.
Sci Technol Adv Mater
; 18(1): 430-435, 2017.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-28740558
4.
Redshifted and blueshifted photoluminescence emission of InAs/InP quantum dots upon amorphization of phase change material.
Opt Express
; 22(12): 14830-9, 2014 Jun 16.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-24977578
5.
Enhanced Light Trapping in GaAs/TiO2-Based Photocathodes for Hydrogen Production.
ACS Appl Mater Interfaces
; 15(46): 53446-53454, 2023 Nov 22.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-37943978
6.
Milliwatt-level fiber-coupled laser power from photonic crystal band-edge laser.
Opt Express
; 19(3): 2105-10, 2011 Jan 31.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-21369027
7.
10 Gbit/s all-optical NRZ-OOK to RZ-OOK format conversion in an ultra-small III-V-on-silicon microdisk fabricated in a CMOS pilot line.
Opt Express
; 19(24): 24647-56, 2011 Nov 21.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-22109493
8.
Subwavelength plasmonic lasing from a semiconductor nanodisk with silver nanopan cavity.
Nano Lett
; 10(9): 3679-83, 2010 Sep 08.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-20704325
9.
Highly linear polarized emission at telecom bands in InAs/InP quantum dot-nanowires by geometry tailoring.
Nanoscale
; 13(40): 16952-16958, 2021 Oct 21.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-34610634
10.
Room temperature low-threshold InAs/InP quantum dot single mode photonic crystal microlasers at 1.5 microm using cavity-confined slow light.
Opt Express
; 17(7): 5439-45, 2009 Mar 30.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-19333310
11.
Impact of the Ga flux incidence angle on the growth kinetics of self-assisted GaAs nanowires on Si(111).
Nanoscale Adv
; 1(11): 4433-4441, 2019 Nov 05.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-36134421
12.
InAs quantum dot in a needlelike tapered InP nanowire: a telecom band single photon source monolithically grown on silicon.
Nanoscale
; 11(45): 21847-21855, 2019 Nov 21.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-31696191
13.
Nanoscale investigation of a radial p-n junction in self-catalyzed GaAs nanowires grown on Si (111).
Nanoscale
; 10(43): 20207-20217, 2018 Nov 08.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-30357204
14.
Room-temperature InAs/InP Quantum Dots laser operation based on heterogeneous "2.5 D" Photonic Crystal.
Opt Express
; 14(20): 9269-76, 2006 Oct 02.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-19529309
15.
Carrier-injection-based electro-optic modulator on silicon-on-insulator with a heterogeneously integrated III-V microdisk cavity.
Opt Lett
; 33(21): 2518-20, 2008 Nov 01.
Artículo
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| MEDLINE | ID: mdl-18978906
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