Detalles de la búsqueda
1.
Electron Interference in Hall Effect Measurements on GaAs/InAs Core/Shell Nanowires.
Nano Lett
; 17(1): 128-135, 2017 01 11.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-27991790
2.
Anisotropic phase coherence in GaAs/InAs core/shell nanowires.
Nanotechnology
; 28(44): 445202, 2017 Nov 03.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-28840851
3.
Crystal Phase Transformation in Self-Assembled InAs Nanowire Junctions on Patterned Si Substrates.
Nano Lett
; 16(3): 1933-41, 2016 Mar 09.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-26881450
4.
Simultaneous integration of different nanowires on single textured Si (100) substrates.
Nano Lett
; 15(3): 1979-86, 2015 Mar 11.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-25650521
5.
Evolution and characteristics of GaN nanowires produced via maskless reactive ion etching.
Nanotechnology
; 25(25): 255301, 2014 Jun 27.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-24896155
6.
Molecular beam epitaxy growth of GaAs/InAs core-shell nanowires and fabrication of InAs nanotubes.
Nano Lett
; 12(11): 5559-64, 2012 Nov 14.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-23030380
7.
Influence of Te-Doping on Catalyst-Free VS InAs Nanowires.
Nanoscale Res Lett
; 14(1): 179, 2019 May 28.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-31140033
8.
Strain Compensation in Single ZnSe/CdSe Quantum Wells: Analytical Model and Experimental Evidence.
ACS Appl Mater Interfaces
; 9(9): 8371-8377, 2017 Mar 08.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-28234444
9.
MBE growth of Al/InAs and Nb/InAs superconducting hybrid nanowire structures.
Nanoscale
; 9(43): 16735-16741, 2017 Nov 09.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-29068026
10.
Strain relaxation and ambipolar electrical transport in GaAs/InSb core-shell nanowires.
Nanoscale
; 9(46): 18392-18401, 2017 Nov 30.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-29147699
11.
Angle-dependent magnetotransport in GaAs/InAs core/shell nanowires.
Sci Rep
; 6: 24573, 2016 Apr 19.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-27091000
12.
Alloy formation during molecular beam epitaxy growth of Si-doped InAs nanowires on GaAs[111]B.
J Appl Crystallogr
; 46(Pt 4): 893-897, 2013 Aug 01.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-24046494
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