Detalles de la búsqueda
1.
Chemical and structural arrangement of the trigonal phase in GeSbTe thin films.
Nanotechnology
; 28(6): 065706, 2017 Feb 10.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-28050966
2.
Mapping the density of scattering centers limiting the electron mean free path in graphene.
Nano Lett
; 11(11): 4612-8, 2011 Nov 09.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-21981146
3.
Influence of hydrofluoric acid treatment on electroless deposition of Au clusters.
Beilstein J Nanotechnol
; 8: 183-189, 2017.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-28243555
4.
Metal-Insulator Transition Driven by Vacancy Ordering in GeSbTe Phase Change Materials.
Sci Rep
; 6: 23843, 2016 Apr 01.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-27033314
5.
Lateral homogeneity of the electronic properties in pristine and ion-irradiated graphene probed by scanning capacitance spectroscopy.
Nanoscale Res Lett
; 6(1): 109, 2011 Jan 31.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-21711643
6.
Corrigendum: Metal - Insulator Transition Driven by Vacancy Ordering in GeSbTe Phase Change Materials.
Sci Rep
; 6: 31679, 2016 08 16.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-27527547
7.
Structural characterization of Ni2Si pseudoepitaxial transrotational structures on [001] Si.
Acta Crystallogr B
; 62(Pt 5): 729-36, 2006 Oct.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-16983153
8.
Pseudoepitaxial transrotational structures in 14 nm-thick NiSi layers on [001] silicon.
Acta Crystallogr B
; 61(Pt 5): 486-91, 2005 Oct.
Artículo
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| MEDLINE | ID: mdl-16186648
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