Detalles de la búsqueda
1.
Inhomogeneous spatial distribution of non radiative recombination centers in GaN/InGaN nanowire heterostructures studied by cathodoluminescence.
Nanotechnology
; 34(49)2023 Sep 18.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-37640021
2.
Ultrathin GaN quantum wells in AlN nanowires for UV-C emission.
Nanotechnology
; 34(27)2023 Apr 21.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-37023726
3.
Assessment of Active Dopants and p-n Junction Abruptness Using In Situ Biased 4D-STEM.
Nano Lett
; 22(23): 9544-9550, 2022 Dec 14.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-36442685
4.
The role of surface diffusion in the growth mechanism of III-nitride nanowires and nanotubes.
Nanotechnology
; 32(8): 085606, 2021 Feb 19.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-33147580
5.
Growth of zinc-blende GaN on muscovite mica by molecular beam epitaxy.
Nanotechnology
; 32(2): 025601, 2021 Jan 08.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-32906087
6.
In Situ Transmission Electron Microscopy Analysis of Copper-Germanium Nanowire Solid-State Reaction.
Nano Lett
; 19(12): 8365-8371, 2019 12 11.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-31613639
7.
In Situ Transmission Electron Microscopy Analysis of Aluminum-Germanium Nanowire Solid-State Reaction.
Nano Lett
; 19(5): 2897-2904, 2019 05 08.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-30908919
8.
Growth mechanism of InGaN nano-umbrellas.
Nanotechnology
; 27(45): 455603, 2016 Nov 11.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-27727147
9.
InGaN nanowires with high InN molar fraction: growth, structural and optical properties.
Nanotechnology
; 27(19): 195704, 2016 May 13.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-27041669
10.
Combining 2 nm Spatial Resolution and 0.02% Precision for Deformation Mapping of Semiconductor Specimens in a Transmission Electron Microscope by Precession Electron Diffraction.
Nano Lett
; 15(8): 5289-94, 2015 Aug 12.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-26218789
11.
Effect of Extended Defects on AlGaN Quantum Dots for Electron-Pumped Ultraviolet Emitters.
ACS Nano
; 18(18): 11886-11897, 2024 May 07.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-38651233
12.
Field mapping with nanometer-scale resolution for the next generation of electronic devices.
Nano Lett
; 11(11): 4585-90, 2011 Nov 09.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-21972919
13.
Practice of electron microscopy on nanoparticles sensitive to radiation damage: CsPbBr3 nanocrystals as a case study.
Front Chem
; 10: 1058620, 2022.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-36605121
14.
Mapping active dopants in single silicon nanowires using off-axis electron holography.
Nano Lett
; 9(11): 3837-43, 2009 Nov.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-19780569
15.
Direct comparison of off-axis holography and differential phase contrast for the mapping of electric fields in semiconductors by transmission electron microscopy.
Ultramicroscopy
; 198: 58-72, 2019 03.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-30660032
16.
Reduction of electrical damage in specimens prepared using focused ion beam milling for dopant profiling using off-axis electron holography.
Ultramicroscopy
; 108(5): 488-93, 2008 Apr.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-17888576
17.
Determination of atomic vacancies in InAs/GaSb strained-layer superlattices by atomic strain.
IUCrJ
; 5(Pt 1): 67-72, 2018 Jan 01.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-29354272
18.
Graphene as a Mechanically Active, Deformable Two-Dimensional Surfactant.
J Phys Chem Lett
; 9(10): 2523-2531, 2018 May 17.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-29688019
19.
Peak separation method for sub-lattice strain analysis at atomic resolution: Application to InAs/GaSb superlattice.
Micron
; 92: 6-12, 2017 Jan.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-27816744
20.
High-precision deformation mapping in finFET transistors with two nanometre spatial resolution by precession electron diffraction.
Appl Phys Lett
; 110(22): 223109, 2017 May 29.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-28652641