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1.
Electron trapping at SiO2/4H-SiC interface probed by transient capacitance measurements and atomic resolution chemical analysis.
Nanotechnology
; 29(39): 395702, 2018 Sep 28.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-29972377
2.
Nanoscale electro-structural characterisation of ohmic contacts formed on p-type implanted 4H-SiC.
Nanoscale Res Lett
; 6(1): 158, 2011 Feb 21.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-21711667
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