Detalles de la búsqueda
1.
Charge carrier relaxation in InGaAs-GaAs quantum wire modulation-doped heterostructures.
Nanotechnology
; 28(37): 375201, 2017 Sep 15.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-28714860
2.
Raman scattering reveals strong LO-phonon-hole-plasmon coupling in nominally undoped GaAsBi: optical determination of carrier concentration.
Opt Express
; 22(10): 11680-9, 2014 May 19.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-24921290
3.
Mechanism of strain-influenced quantum well thickness reduction in GaN/AlN short-period superlattices.
Nanotechnology
; 25(24): 245602, 2014 Jun 20.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-24869600
4.
Effects of AlGaAs cladding layers on the luminescence of GaAs/GaAs1-xBix/GaAs heterostructures.
Nanotechnology
; 25(3): 035702, 2014 Jan 24.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-24346504
5.
Strong passivation effects on the properties of an InAs surface quantum dot hybrid structure.
Nanotechnology
; 24(7): 075701, 2013 Feb 22.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-23358560
6.
Second harmonic generation in AlGaAs photonic wires using low power continuous wave light.
Opt Express
; 19(13): 12408-17, 2011 Jun 20.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-21716479
7.
Optical evidence of a quantum well channel in low temperature molecular beam epitaxy grown Ga(AsBi)/GaAs nanostructure.
Nanotechnology
; 22(37): 375703, 2011 Sep 16.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-21852736
8.
Band alignment tailoring of InAs1-xSbx/GaAs quantum dots: control of type I to type II transition.
Nano Lett
; 10(8): 3052-6, 2010 Aug 11.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-20698619
9.
Aharonov-Bohm interference in neutral excitons: effects of built-in electric fields.
Phys Rev Lett
; 104(8): 086401, 2010 Feb 26.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-20366953
10.
Impact of defects on photoexcited carrier relaxation dynamics in GeSn thin films.
J Phys Condens Matter
; 33(6): 065702, 2020 Feb 10.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-33105124
11.
Spatially resolved spin-injection probability for gallium arsenide.
Science
; 292(5521): 1518-21, 2001 May 25.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-11375485
12.
Size and density control of In droplets at near room temperatures.
Nanotechnology
; 20(28): 285602, 2009 Jul 15.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-19550019
13.
Spectroscopy of shallow InAs/InP quantum wire nanostructures.
Nanotechnology
; 20(6): 065401, 2009 Feb 11.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-19417384
14.
InAs quantum dot clusters grown on GaAs droplet templates: surface morphologies and optical properties.
J Nanosci Nanotechnol
; 9(5): 3320-4, 2009 May.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-19453010
15.
Optical spatial solitons at the interface between two dissimilar periodic media: theory and experiment.
Opt Express
; 16(14): 10480-92, 2008 Jul 07.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-18607461
16.
Engineering of 3D self-directed quantum dot ordering in multilayer InGaAs/GaAs nanostructures by means of flux gas composition.
Nanotechnology
; 19(50): 505605, 2008 Dec 17.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-19942777
17.
Tuning the optical performance of surface quantum dots in InGaAs/GaAs hybrid structures.
Opt Express
; 15(13): 8157-62, 2007 Jun 25.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-19547142
18.
Observation of change in critical thickness of In droplet formation on GaAs(100).
J Phys Condens Matter
; 19(17): 176223, 2007 Apr 30.
Artículo
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| MEDLINE | ID: mdl-21690968
19.
Optical Properties of a Quantum Dot-Ring System Grown Using Droplet Epitaxy.
Nanoscale Res Lett
; 11(1): 309, 2016 Dec.
Artículo
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| MEDLINE | ID: mdl-27342603
20.
Surface effects of vapour-liquid-solid driven Bi surface droplets formed during molecular-beam-epitaxy of GaAsBi.
Sci Rep
; 6: 28860, 2016 07 05.
Artículo
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| MEDLINE | ID: mdl-27377213