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1.
Thermophotovoltaic efficiency of 40.
Nature
; 604(7905): 287-291, 2022 04.
Artículo
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| MEDLINE | ID: mdl-35418635
2.
In Situ Smoothing of Facets on Spalled GaAs(100) Substrates during OMVPE Growth of III-V Epilayers, Solar Cells, and Other Devices: The Impact of Surface Impurities/Dopants.
Cryst Growth Des
; 24(8): 3218-3227, 2024 Apr 17.
Artículo
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| MEDLINE | ID: mdl-38659661
3.
Nucleation and Growth of GaAs on a Carbon Release Layer by Halide Vapor Phase Epitaxy.
ACS Omega
; 8(47): 45088-45095, 2023 Nov 28.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-38046304
4.
Publisher Correction: Gallium arsenide solar cells grown at rates exceeding 300 µm h-1 by hydride vapor phase epitaxy.
Nat Commun
; 10(1): 4070, 2019 Sep 03.
Artículo
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| MEDLINE | ID: mdl-31481675
5.
Gallium arsenide solar cells grown at rates exceeding 300 µm h-1 by hydride vapor phase epitaxy.
Nat Commun
; 10(1): 3361, 2019 Jul 26.
Artículo
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| MEDLINE | ID: mdl-31350402
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