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1.
Honokiol inhibits epithelial-mesenchymal transition and hepatic fibrosis via activation of Ecadherin/GSK3ß/JNK and inhibition of AKT/ERK/p38/ß-catenin/TMPRSS4 signaling axis.
Phytother Res
; 37(9): 4092-4101, 2023 Sep.
Artículo
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| MEDLINE | ID: mdl-37253375
2.
Capacitorless One-Transistor Dynamic Random-Access Memory Based on Double-Gate Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor with Si/SiGe Heterojunction and Underlap Structure for Improvement of Sensing Margin and Retention Time.
J Nanosci Nanotechnol
; 19(10): 6023-6030, 2019 Oct 01.
Artículo
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| MEDLINE | ID: mdl-31026902
3.
Design Optimization and Analysis of InGaAs/InAs/InGaAs Heterojunction-Based Electron Hole Bilayer Tunneling FETs.
J Nanosci Nanotechnol
; 19(10): 6070-6076, 2019 Oct 01.
Artículo
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| MEDLINE | ID: mdl-31026910
4.
Design Optimization of InGaAs/GaAsSb-Based P-Type Gate-All-Around Arch-Shaped Tunneling Field-Effect Transistor.
J Nanosci Nanotechnol
; 19(10): 6762-6766, 2019 Oct 01.
Artículo
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| MEDLINE | ID: mdl-31027025
5.
Design Optimization of Ge/GaAs-Based Heterojunction Gate-All-Around (GAA) Arch-Shaped Tunneling Field-Effect Transistor (A-TFET).
J Nanosci Nanotechnol
; 18(9): 6602-6605, 2018 09 01.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-29677842
6.
Simulation of One-Transistor Dynamic Random-Access Memory Based on Symmetric Double-Gate Si Junctionless Transistor.
J Nanosci Nanotechnol
; 18(9): 6593-6597, 2018 09 01.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-29677840
7.
Analysis for DC and RF Characteristics Recessed-Gate GaN MOSFET Using Stacked TiO2/Si3N4 Dual-Layer Insulator.
Materials (Basel)
; 15(3)2022 Jan 21.
Artículo
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| MEDLINE | ID: mdl-35160771
8.
Design of a Capacitorless DRAM Based on a Polycrystalline-Silicon Dual-Gate MOSFET with a Fin-Shaped Structure.
Nanomaterials (Basel)
; 12(19)2022 Oct 09.
Artículo
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| MEDLINE | ID: mdl-36234653
9.
Design and Analysis of CMOS-Compatible III-V Compound Electron-Hole Bilayer Tunneling Field-Effect Transistor for Ultra-Low-Power Applications.
J Nanosci Nanotechnol
; 15(10): 7486-92, 2015 Oct.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-26726356
10.
Analyses on RF Performances of Silicon-Compatible InGaAs-Based Planar-Type and Fin-Type Junctionless Field-Effect Transistors.
J Nanosci Nanotechnol
; 15(10): 7615-9, 2015 Oct.
Artículo
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| MEDLINE | ID: mdl-26726384
11.
Short-Channel Tunneling Field-Effect Transistor with Drain-Overlap and Dual-Metal Gate Structure for Low-Power and High-Speed Operations.
J Nanosci Nanotechnol
; 15(10): 7430-5, 2015 Oct.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-26726346
12.
Heteromaterial gate tunneling field-effect transistor for high-speed and radio-frequency applications.
J Nanosci Nanotechnol
; 14(11): 8136-40, 2014 Nov.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-25958487
13.
Design and analysis of vertical-channel gallium nitride (GaN) junctionless nanowire transistors (JNT).
J Nanosci Nanotechnol
; 14(11): 8130-5, 2014 Nov.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-25958486
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