Detalles de la búsqueda
1.
AlN epitaxy on SiC by low-temperature atomic layer deposition via layer-by-layer, in situ atomic layer annealing.
RSC Adv
; 9(22): 12226-12231, 2019 Apr 17.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-35515870
2.
Room-temperature field effect transistors with metallic ultrathin TiN-based channel prepared by atomic layer delta doping and deposition.
Sci Rep
; 7(1): 875, 2017 04 13.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-28408744
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