Detalles de la búsqueda
1.
Solution-processed Li-Al layered-double-hydroxide platelet structures for high efficiency InGaN light emitting diodes.
Opt Express
; 20 Suppl 5: A669-77, 2012 Sep 10.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-23037533
2.
Bendable InGaN Light-Emitting Nanomembranes with Tunable Emission Wavelength.
ACS Appl Mater Interfaces
; 10(43): 37725-37731, 2018 Oct 31.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-30277061
3.
Fabrication of current confinement aperture structure by transforming a conductive GaN:Si epitaxial layer into an insulating GaOx layer.
ACS Appl Mater Interfaces
; 6(24): 22235-42, 2014 Dec 24.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-25470494
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