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1.
Resonant Raman line shape of optic phonons in GaAs/AlAs multiple quantum wells.
Phys Rev Lett
; 72(3): 412-415, 1994 Jan 17.
Artículo
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| MEDLINE | ID: mdl-10056424
2.
Line-shape model for the modulated reflectance of multiple quantum wells.
Phys Rev B Condens Matter
; 43(11): 9118-9125, 1991 Apr 15.
Artículo
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| MEDLINE | ID: mdl-9996581
3.
Phonon-absorption recombination luminescence of room-temperature excitons in Cu2O.
Phys Rev B Condens Matter
; 45(20): 11693-11697, 1992 May 15.
Artículo
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| MEDLINE | ID: mdl-10001183
4.
Raman scattering due to interface optical phonons in GaAs/AlAs multiple quantum wells.
Phys Rev B Condens Matter
; 51(24): 17728-17739, 1995 Jun 15.
Artículo
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| MEDLINE | ID: mdl-9978805
5.
Spin-triplet negatively charged excitons in GaAs quantum wells.
Phys Rev B Condens Matter
; 52(11): 7841-7844, 1995 Sep 15.
Artículo
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| MEDLINE | ID: mdl-9979768
6.
Influence of the exciton lifetime on resonant Raman scattering in quantum wells.
Phys Rev B Condens Matter
; 46(16): 10490-10493, 1992 Oct 15.
Artículo
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| MEDLINE | ID: mdl-10002901
7.
Tunneling effects upon resonant-Raman-scattering intensities in GaAs/AlAs superlattices.
Phys Rev B Condens Matter
; 47(20): 13922-13925, 1993 May 15.
Artículo
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| MEDLINE | ID: mdl-10005726
8.
Phonons and internal stresses in IV-IV and III-V semiconductors: The planar bond-charge model.
Phys Rev B Condens Matter
; 47(4): 1866-1875, 1993 Jan 15.
Artículo
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| MEDLINE | ID: mdl-10006224
9.
Electromodulation spectroscopy of metalorganic-vapor-phase-epitaxy-grown GaAs/AlxGa1-xAs multiple quantum wells.
Phys Rev B Condens Matter
; 42(6): 3599-3607, 1990 Aug 15.
Artículo
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| MEDLINE | ID: mdl-9995874
10.
Quenching of excitonic optical transitions by excess electrons in GaAs quantum wells.
Phys Rev B Condens Matter
; 51(24): 18049-18052, 1995 Jun 15.
Artículo
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| MEDLINE | ID: mdl-9978853
11.
Magneto-optical spectroscopy of positively charged excitons in GaAs quantum wells.
Phys Rev B Condens Matter
; 52(8): R5523-R5526, 1995 Aug 15.
Artículo
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| MEDLINE | ID: mdl-9981820
12.
Photoluminescence due to positively charged excitons in undoped GaAs/AlxGa1-xAs quantum wells.
Phys Rev B Condens Matter
; 53(19): 13002-13010, 1996 May 15.
Artículo
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| MEDLINE | ID: mdl-9982977
13.
Stark-ladder behavior of the X levels in a type-II GaAs/AlAs superlattice measured using electroreflectance spectroscopy.
Phys Rev B Condens Matter
; 42(9): 5879-5882, 1990 Sep 15.
Artículo
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| MEDLINE | ID: mdl-9996177
14.
Resonant interference effects in the phonon Raman spectra of (311) GaAs/AlAs superlattices.
Phys Rev B Condens Matter
; 49(11): 7584-7591, 1994 Mar 15.
Artículo
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| MEDLINE | ID: mdl-10009502
15.
Resonant Raman scattering in GaAs/AlAs superlattices under electric fields.
Phys Rev B Condens Matter
; 46(11): 6990-7001, 1992 Sep 15.
Artículo
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| MEDLINE | ID: mdl-10002405
16.
Homogeneous-linewidth dependence of resonant Raman scattering in GaAs quantum wells.
Phys Rev B Condens Matter
; 48(23): 17338-17342, 1993 Dec 15.
Artículo
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| MEDLINE | ID: mdl-10008344
17.
Erratum: Phonon properties of (311) GaAs/AlAs superlattices
Phys Rev B Condens Matter
; 50(19): 14750, 1994 Nov 15.
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| MEDLINE | ID: mdl-9975726
18.
Phonon properties of (311) GaAs/AlAs superlattices.
Phys Rev B Condens Matter
; 49(11): 7577-7583, 1994 Mar 15.
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| MEDLINE | ID: mdl-10009501
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