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1.
Uniform GaN thin films grown on (100) silicon by remote plasma atomic layer deposition.
Nanotechnology
; 26(1): 014002, 2015 Jan 09.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-25494474
2.
Low-temperature atomic layer epitaxy of AlN ultrathin films by layer-by-layer, in-situ atomic layer annealing.
Sci Rep
; 7: 39717, 2017 01 03.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-28045075
3.
Atomic Layer Deposition of Gallium Oxide Films as Gate Dielectrics in AlGaN/GaN Metal-Oxide-Semiconductor High-Electron-Mobility Transistors.
Nanoscale Res Lett
; 11(1): 235, 2016 Dec.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-27129687
4.
Ultralow threading dislocation density in GaN epilayer on near-strain-free GaN compliant buffer layer and its applications in hetero-epitaxial LEDs.
Sci Rep
; 5: 13671, 2015 Sep 02.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-26329829
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