Detalles de la búsqueda
1.
Tuning Carrier Tunneling in van der Waals Heterostructures for Ultrahigh Detectivity.
Nano Lett
; 17(1): 453-459, 2017 01 11.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-27983857
2.
Schottky Barrier Variable Graphene/Multilayer-MoS2 Heterojunction Transistor Used to Overcome Short Channel Effects.
ACS Appl Mater Interfaces
; 12(2): 2854-2861, 2020 Jan 15.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-31855598
3.
Unveiling the Hot Carrier Distribution in Vertical Graphene/h-BN/Au van der Waals Heterostructures for High-Performance Photodetector.
ACS Appl Mater Interfaces
; 12(9): 10772-10780, 2020 Mar 04.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-32013378
4.
Efficient Gate Modulation in a Screening-Engineered MoS2/Single-Walled Carbon Nanotube Network Heterojunction Vertical Field-Effect Transistor.
ACS Appl Mater Interfaces
; 11(28): 25516-25523, 2019 Jul 17.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-31264836
5.
Ultrahigh Gauge Factor in Graphene/MoS2 Heterojunction Field Effect Transistor with Variable Schottky Barrier.
ACS Nano
; 13(7): 8392-8400, 2019 Jul 23.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-31241306
6.
Mobility Engineering in Vertical Field Effect Transistors Based on Van der Waals Heterostructures.
Adv Mater
; 30(9)2018 Mar.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-29333683
7.
Direct growth of doping controlled monolayer WSe2 by selenium-phosphorus substitution.
Nanoscale
; 10(24): 11397-11402, 2018 Jun 21.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-29877543
8.
Two-terminal floating-gate memory with van der Waals heterostructures for ultrahigh on/off ratio.
Nat Commun
; 7: 12725, 2016 09 02.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-27586841
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