Detalles de la búsqueda
1.
Deterministic field-free voltage-induced magnetization switching with self-regulated precession for low-power memory.
Sci Rep
; 13(1): 16084, 2023 Sep 26.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-37752252
2.
Lateral double magnetic tunnel junction device with orthogonal polarizer for high-performance magnetoresistive memory.
Sci Rep
; 12(1): 19762, 2022 Nov 17.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-36396769
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