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1.
Contact Engineering High-Performance n-Type MoTe2 Transistors.
Nano Lett
; 19(9): 6352-6362, 2019 Sep 11.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-31314531
2.
Direct Characterization of Buried Interfaces in 2D/3D Heterostructures Enabled by GeO2 Release Layer.
ACS Appl Mater Interfaces
; 16(2): 2847-2860, 2024 Jan 17.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-38170963
3.
Impact of Etch Processes on the Chemistry and Surface States of the Topological Insulator Bi2Se3.
ACS Appl Mater Interfaces
; 11(35): 32144-32150, 2019 Sep 04.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-31416305
4.
High-Mobility Helical Tellurium Field-Effect Transistors Enabled by Transfer-Free, Low-Temperature Direct Growth.
Adv Mater
; : e1803109, 2018 Jul 18.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-30022534
5.
Realizing Large-Scale, Electronic-Grade Two-Dimensional Semiconductors.
ACS Nano
; 12(2): 965-975, 2018 02 27.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-29360349
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