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1.
Reducing contact resistance of MoS2-based field effect transistors through uniform interlayer insertion via atomic layer deposition.
J Chem Phys
; 160(10)2024 Mar 14.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-38456534
2.
Investigation on Contact Properties of 2D van der Waals Semimetallic 1T-TiS2/MoS2 Heterojunctions.
ACS Appl Mater Interfaces
; 16(9): 12095-12105, 2024 Mar 06.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-38384197
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