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1.
Impact of Plasma Electron Flux on Plasma Damage-Free Sputtering of Ultrathin Tin-Doped Indium Oxide Contact Layer on p-GaN for InGaN/GaN Light-Emitting Diodes.
Adv Sci (Weinh)
; 5(2): 1700637, 2018 02.
Artículo
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| MEDLINE | ID: mdl-29619312
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