Detalles de la búsqueda
1.
High Amplitude Spike Generator in Au Nanodot-Incorporated NbOx Mott Memristor.
Nano Lett
; 23(11): 5399-5407, 2023 Jun 14.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-36930534
2.
Memristive Explainable Artificial Intelligence Hardware.
Adv Mater
; : e2400977, 2024 Mar 20.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-38508776
3.
Fully Memristive Elementary Motion Detectors for a Maneuver Prediction.
Adv Mater
; 36(18): e2309708, 2024 May.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-38251443
4.
Threshold Modulative Artificial GABAergic Nociceptor.
Adv Mater
; 35(47): e2304148, 2023 Nov.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-37527440
5.
Retention Secured Nonlinear and Self-Rectifying Analog Charge Trap Memristor for Energy-Efficient Neuromorphic Hardware.
Adv Sci (Weinh)
; 10(3): e2205654, 2023 Jan.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-36437042
6.
Probabilistic computing with NbOx metal-insulator transition-based self-oscillatory pbit.
Nat Commun
; 14(1): 7199, 2023 Nov 08.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-37938550
7.
Ternary Logic with Stateful Neural Networks Using a Bilayered TaOX -Based Memristor Exhibiting Ternary States.
Adv Sci (Weinh)
; 9(5): e2104107, 2022 02.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-34913617
8.
Modified Dynamic Physical Model of Valence Change Mechanism Memristors.
ACS Appl Mater Interfaces
; 14(31): 35949-35958, 2022 Aug 10.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-35900018
9.
Self-clocking fast and variation tolerant true random number generator based on a stochastic mott memristor.
Nat Commun
; 12(1): 2906, 2021 May 18.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-34006879
10.
Defect-Engineered Electroforming-Free Analog HfOx Memristor and Its Application to the Neural Network.
ACS Appl Mater Interfaces
; 11(50): 47063-47072, 2019 Dec 18.
Artículo
en Inglés
| MEDLINE | ID: mdl-31741373
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