Detalles de la búsqueda
1.
Temperature Dependence According to Grain Boundary Potential Barrier Variation in Vertical NAND Flash Cell with Polycrystalline-Silicon Channel.
J Nanosci Nanotechnol
; 17(4): 2628-632, 2017 Apr.
Artículo
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| MEDLINE | ID: mdl-29664250
2.
Degradation Characteristics of MgO Based Magnetic Tunnel Junction Caused by Surface Roughness of Ta/Ru Buffer Layers.
J Nanosci Nanotechnol
; 16(1): 654-7, 2016 Jan.
Artículo
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| MEDLINE | ID: mdl-27398503
3.
Understanding the Origin of Low-Energy Operation Characteristics for Cr2Ge2Te6 Phase-Change Material: Enhancement of Thermal Efficiency in the High-Scaled Memory Device.
ACS Appl Mater Interfaces
; 14(39): 44604-44613, 2022 Oct 05.
Artículo
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| MEDLINE | ID: mdl-36149674
4.
High-Performance Thin-Film Transistors with an Atomic-Layer-Deposited Indium Gallium Oxide Channel: A Cation Combinatorial Approach.
ACS Appl Mater Interfaces
; 12(47): 52937-52951, 2020 Nov 25.
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| MEDLINE | ID: mdl-33172258
5.
Inverse Resistance Change Cr2Ge2Te6-Based PCRAM Enabling Ultralow-Energy Amorphization.
ACS Appl Mater Interfaces
; 10(3): 2725-2734, 2018 Jan 24.
Artículo
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| MEDLINE | ID: mdl-29280374
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